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  • 型号: PZU3.0DB2,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.0DB2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.0DB2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.0DB2,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PZU3.0DB2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PZU3.0DB2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PZU3.0DB2,115 是 Nexperia(安世半导体)出品的双路齐纳二极管阵列,采用SOT-363(SC-70)封装,含两个独立、匹配性良好的3.0 V齐纳稳压管(标称击穿电压3.0 V,容差±5%,典型动态阻抗约120 Ω)。其主要应用场景包括:

1. 低电压精密箝位与过压保护:适用于3.3 V或3.0 V逻辑系统(如I²C、SPI、GPIO接口),防止瞬态电压(ESD、开关噪声)损坏MCU或传感器输入端;双通道结构便于双向信号线(如数据/时钟线)对称保护。

2. 基准电压源:在低功耗便携设备(如TWS耳机、可穿戴设备)中,为ADC参考、LDO反馈或比较器提供稳定、低温漂(典型TC ≈ ±3.5 mV/K)的3.0 V基准,尤其适合空间受限且无需高精度(<1%)的场合。

3. 电压平移与电平转换辅助:配合MOSFET或分立电路,实现1.8 V ↔ 3.3 V等电平转换中的阈值设定或偏置稳定。

4. 电源轨监控与稳压:用于3.3 V电源的简易欠压检测(配合比较器)或小电流负载(<5 mA)下的局部稳压。

优势在于小尺寸、双通道集成、低漏电流(IR < 100 nA @ 1 V)、符合AEC-Q200(车载级)及工业温度范围(−65°C ~ +150°C),广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子(如车身控制模块、传感器接口)等场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER DUAL 3V 5TSSOP稳压二极管 Diode Zener Dual Par 3.075V 2% 275mW 5Pin

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PZUXDB2_SER.pdf?ecmp=mouser

产品图片

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU3.0DB2,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PZU3.0DB2,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 1V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

5-TSSOP

其它名称

934061531115
PZU3.0DB2 T/R
PZU3.0DB2 T/R-ND

功率-最大值

250mW

功率耗散

250 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

封装/箱体

SOT235

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

10 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

95 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向电压下降

1.1 V

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3V

电压容差

2 %

电压温度系数

2.1 mV/K

配置

Dual Parallel

阻抗(最大值)(Zzt)

95 欧姆

齐纳电压

3 V

齐纳电流

5 mA

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