Datasheet下载- 型号： PZU3.0B1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.0B1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.0B1,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.0B1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU3.0B1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU3.0B1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU3.0B1,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的3.0V、高精度齐纳二极管（单管），采用SOD-323小尺寸表面贴装封装，具有低动态阻抗（典型值15Ω）、窄电压容差（±1%）、低漏电流（<100nA @ VR）及优异的长期稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 精密电压基准：为ADC、DAC、传感器信号调理电路或低功耗MCU提供稳定3.0V参考电压； ✅ 过压保护与箝位：在I/O端口、通信接口（如I²C、SPI）中限制瞬态电压，防止后级器件（如GPIO、EEPROM）因ESD或浪涌受损； ✅ 电源稳压/分压反馈：配合LDO或DC-DC转换器构成简易稳压电路，或用于反馈网络中提升输出电压精度； ✅ 电池供电设备电压监测：在可穿戴设备、IoT节点中，用于检测锂电（3.0V对应约20–30%剩余电量）或纽扣电池（如CR2032）电压阈值； ✅ 工业与汽车电子辅助电路：符合AEC-Q200可靠性要求（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车载传感器模块、车身控制单元中的基准与保护环节。 该器件凭借小体积、高精度和低功耗特性，特别适合空间受限、对电压稳定性要求严苛的便携式及嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU3.0B1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU3.0B1,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3896-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 电压容差 | 4 % |
| 电压温度系数 | - 2.1 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU3.0B1 T/R |
| 齐纳电压 | 2.925 V |
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