Datasheet下载- 型号： PZU2.7B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU2.7B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU2.7B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU2.7B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU2.7B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU2.7B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PZU2.7B,115是一款2.7V、高精度（±1%容差）、低动态阻抗的齐纳二极管，采用SOD-323小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准：为ADC/DAC、传感器调理电路或低功耗MCU提供稳定2.7V参考电压，适用于对电压精度和温漂要求较高的便携式设备； 2. 过压保护与钳位：在I/O接口（如GPIO、通信线路）中用作ESD保护后的二级钳位器件，将瞬态电压限制在2.7V附近，防止后级IC损坏； 3. 低压电源稳压：在3.3V或电池供电（如单节锂电/碱性电池）系统中，为低功耗模块（如RTC、EEPROM、传感器）提供简单、低成本的局部稳压； 4. 电流源偏置电路：配合限流电阻构成恒流源，用于LED驱动或光电二极管偏置； 5. 信号电平转换与限幅：在模拟前端中限制信号幅值，防止ADC输入饱和。 该器件具有低泄漏电流（<100nA @ 1V）、良好温度稳定性（TC ≈ −1.5 mV/°C）及AEC-Q200认证（部分批次），适用于汽车电子（如车身控制模块）、工业传感器、可穿戴设备及物联网终端等对可靠性与空间有严苛要求的场景。注意需合理设计功耗（额定功率300mW），避免超过最大齐纳电流（典型测试条件IZ = 5mA）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 310MW SOD323F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU2.7B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3879-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 欧姆 |
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