Datasheet下载- 型号： PUMH19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH19,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH19,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMH19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH19,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，具有低功耗、高可靠性与快速开关特性。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：在微控制器（如ARM、ESP32、PIC）与外围设备（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间提供简洁、可靠的电流放大与信号切换； 2. LED 驱动电路：直接驱动单颗或多颗中低电流LED（≤100 mA），简化PCB设计，提升系统集成度； 3. 传感器信号调理与开关：用于光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器的负载开关或信号缓冲； 4. 电池供电便携设备：得益于其低静态电流（ICE≈nA级）和SMT小尺寸，适用于智能穿戴、遥控器、IoT节点等对空间与功耗敏感的应用； 5. 冗余/双通道逻辑控制：双路独立结构适合需并行控制（如方向控制、状态指示双路输出）或提高功能安全性的简单冗余设计。 注意：不适用于大电流（＞200 mA）、高压（＞50 V）或线性放大场景。设计时需注意功耗限制（Ptot≈300 mW）及热管理。整体以“简化设计、提升可靠性、降低BOM成本”为核心价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMH19,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057901115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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