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- 型号： PUMD19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD19,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD19,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMD19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PUMD19,115是一款双通道NPN型预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流逻辑信号（如1.8V/3.3V/5V）转换为足够驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号。 2. LED恒流/开关控制：常用于消费电子（如手机背光、指示灯）、家电面板等中低速LED驱动，利用其内置偏置电阻简化外围电路，节省PCB面积与BOM成本。 3. 信号切换与负载开关：在便携设备中作为简易高边/低边开关，控制传感器模块、通信模块（如UART/USB周边）的供电通断，实现功耗管理。 4. 替代传统分立三极管+电阻方案：显著减少元件数量与贴片工位，提升生产良率与可靠性，广泛应用于空间受限的IoT设备、可穿戴产品及工业控制板卡。 该器件具备±500mA集电极电流能力（连续）、V₅₀₀=50V耐压、低饱和压降（VCE(sat)≈0.1V@IC=10mA），支持-55℃~+150℃工作温度，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，亦可用于车规级车身控制模块（如灯光控制、座椅调节）等非安全关键应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD19,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058904115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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