Datasheet下载- 型号： PUMD14,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD14,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD14,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD14,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMD14,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD14,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD14,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含基极-发射极和基极-集电极电阻），采用 SOT-363（SC-88）封装，含两个独立的NPN通道。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO口与LED、继电器、小功率MOSFET等外设之间的信号缓冲与电流放大，简化外围电路设计； 2. LED驱动：可直接驱动多位LED数码管或状态指示灯，预偏置电阻省去外部基极电阻，节省PCB空间并提升可靠性； 3. 开关电源与负载控制：在低功耗DC-DC模块或电池供电设备中，用作负载开关或使能控制（EN/SS信号调理）； 4. 工业I/O模块：适用于PLC输入端子板、传感器信号调理电路中的电平整形与隔离驱动； 5. 消费电子待机控制：如TV、机顶盒中用于按键检测、红外接收信号放大及系统唤醒电路。 该器件具有高直流电流增益（hFE最小160）、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=10mA）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键控制节点。因其集成度高、使用简单，广泛用于对成本、尺寸和设计周期敏感的中低速开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD14,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD14,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058905115 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD14 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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