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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PUMB19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB19,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB19,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMB19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PUMB19,115是一款双通道NPN型预偏置双极晶体管阵列（含内置基极-发射极和基极-集电极电阻），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC与外部负载（如LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的信号缓冲与电平适配，简化外围偏置电路设计。 2. LED驱动：可直接驱动单颗或多颗中低电流LED（如指示灯、状态灯），内置电阻支持约10–20 mA典型灌电流，无需外接限流/偏置电阻，节省PCB面积。 3. 开关电源中的辅助控制电路：在DC-DC转换器或LDO中用于使能（EN）、故障检测（FLAG）等信号调理，实现快速通断与电平兼容。 4. 电池供电设备的低功耗控制：得益于低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）及高直流电流增益（hFE ≥ 100），适用于便携式设备中的待机唤醒、传感器使能等低功耗开关应用。 5. 工业I/O模块输入/输出保护与隔离：作为输入端ESD钳位或输出端电流增强级，提升系统鲁棒性。 该器件符合AEC-Q101汽车级标准（部分批次），亦适用于消费电子、家电及工业控制等对可靠性与空间有要求的场景。其集成化设计显著降低BOM成本与设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB19,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058907115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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