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PTZTE256.2B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE256.2B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE256.2B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE256.2B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.5V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE256.2B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTZTE256.2B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的PTZTE256.2B是一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压:PTZTE256.2B的主要功能是在电路中提供稳定的参考电压。它能够在负载电流变化或输入电压波动时,维持输出电压的稳定性,适用于电源电路中的稳压部分。 2. 过压保护:该齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。例如,在信号传输线路中,它可以限制瞬态电压尖峰,防止损坏后续电路。 3. 基准电压源:在需要精确电压参考的应用中,如运算放大器、比较器或ADC/DAC电路中,PTZTE256.2B可以作为稳定的基准电压源,确保电路性能的一致性。 4. 信号电平调整:在音频或其他模拟信号处理电路中,齐纳二极管可用于将信号电平限制在特定范围内,避免失真或损坏。 5. 温度补偿电路:结合其他温度敏感元件,PTZTE256.2B可用于设计具有温度补偿功能的电路,以减少环境温度变化对系统性能的影响。 6. 开关电源和DC-DC转换器:在这些电源模块中,齐纳二极管常用于反馈回路中的电压设定或误差放大器的参考电压生成。 7. ESD防护:虽然主要功能是稳压,但PTZTE256.2B也可以用作静电放电(ESD)防护器件,吸收瞬时高电压脉冲,保护核心电路。 总之,PTZTE256.2B适用于各种需要电压稳定、保护或参考的应用场合,尤其是在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域中发挥重要作用。选择合适的电路设计参数和匹配元件,可以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS稳压二极管 6.2V 40MA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE256.2B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE256.2B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 3V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE256.2BCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 6 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.5V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 2.5 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 6 欧姆 |
| 齐纳电压 | 12.75 V |