Datasheet下载- 型号： 1N5230BTR
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5230BTR由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5230BTR价格参考。Fairchild Semiconductor1N5230BTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5230BTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5230BTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5230BTR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的齐纳二极管，属于单齐纳二极管系列。它的主要应用场景包括： 1. 电压稳压 - 1N5230BTR 的齐纳电压为 4.7V，适合用作简单的电压稳压器。它可以在电路中提供稳定的参考电压，确保后级电路在一定范围内正常工作。 - 常见应用：电源电路中的电压稳定、低功耗设备的电压调节。 2. 过压保护 - 在电路中，该齐纳二极管可以用来限制电压，防止因瞬态过压或浪涌电压损坏敏感元件。 - 常见应用：传感器接口保护、通信线路的过压防护。 3. 信号电平调整 - 齐纳二极管可用于将输入信号的电平限制在特定范围内，以匹配后续电路的要求。 - 常见应用：音频信号处理、模拟信号限幅。 4. 基准电压源 - 1N5230BTR 可作为低成本的基准电压源，为比较器、运放或其他电路提供稳定的参考电压。 - 常见应用：简单线性稳压器、电池电量检测电路。 5. 浪涌抑制 - 在某些情况下，齐纳二极管可以用来吸收瞬时高电压脉冲，保护电路中的其他元件。 - 常见应用：开关电源的辅助保护、继电器驱动电路。 6. 温度补偿电路 - 虽然 1N5230BTR 的温度系数并非最优，但在某些对温度敏感的应用中，可以通过与其他元件配合使用来实现温度补偿。 - 常见应用：低精度温度补偿电路。 注意事项： - 1N5230BTR 的额定功率为 0.5W，因此不适合高功率场合。 - 使用时需注意散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。 - 确保工作电流在其齐纳击穿电流范围内，以保证稳压效果。 总之，1N5230BTR 是一种经济实用的齐纳二极管，适用于多种低功率、低精度的电压稳压和保护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35稳压二极管 4.7V 0.5W Zener |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5230BTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5230BTR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5230BFSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 126 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/DIODESKITFS/DIODESKITFS-ND/1770760 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 19 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.03 %/C |
| 系列 | 1N5230B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 19 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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