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GDZT2R6.8产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供GDZT2R6.8由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GDZT2R6.8价格参考¥0.60-¥1.17。ROHM SemiconductorGDZT2R6.8封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 100mW ±5% Surface Mount GMD2。您可以下载GDZT2R6.8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GDZT2R6.8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的GDZT2R6.8是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压:GDZT2R6.8的核心功能是提供稳定的参考电压(6.8V),可用于电源电路中对输出电压进行稳压,确保后级电路在电压波动时仍能正常工作。 2. 过压保护:该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管导通并将多余电流分流到地线,从而保护后级电路。 3. 信号电平转换:在信号处理电路中,GDZT2R6.8可用于将输入信号限制在特定电压范围内,避免信号幅度过高导致电路损坏或失真。 4. 温度补偿电路:由于齐纳二极管的特性可能随温度变化,GDZT2R6.8可通过合理设计与其他元件配合,实现温度补偿功能,确保电路性能稳定。 5. 基准电压源:在需要精确电压参考的应用中,如比较器、ADC/DAC电路等,GDZT2R6.8可作为稳定的基准电压源。 6. 消费电子设备:适用于便携式设备、家用电器等需要简单电压稳压或保护的场景。 7. 工业控制:在工业自动化系统中,用于传感器接口、信号调理电路中的电压钳位和稳压。 8. 汽车电子:可用于车载电子系统的过压保护和电压调节,例如电池管理系统(BMS)或传感器电路。 总结来说,GDZT2R6.8适用于需要6.8V稳压或过压保护的各种电子电路,尤其适合对成本和空间要求较高的小型化设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2稳压二极管 6.47 to 7.14V; 5mA 100mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor GDZT2R6.8- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GDZT2R6.8 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 3.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | GMD2 |
| 其它名称 | GDZT2R6.8TR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | GMD2 |
| 封装/箱体 | GMD-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 6.195 V |