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  • 型号: 1N5265BDO35
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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1N5265BDO35产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5265BDO35由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5265BDO35价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5265BDO35封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 62V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5265BDO35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5265BDO35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下公司)生产的1N5265BDO35是一款齐纳二极管,属于1N52xx系列,标称齐纳电压为75V,功率为500mW。该器件主要用于电压基准、稳压和过压保护等电路中。

典型应用场景包括:

1. 电源稳压电路:在低功耗直流电源中作为参考电压源,稳定输出电压,适用于小电流负载的稳压需求。

2. 电压钳位与保护:用于防止敏感电子元件因瞬态高压或浪涌电压而损坏,常见于信号线路或接口电路中的过压保护。

3. 基准电压源:在模拟电路如运算放大器、ADC/DAC系统中提供稳定的参考电压,确保系统精度和稳定性。

4. 消费类电子产品:广泛应用于家用电器、充电器、适配器等设备中的小型稳压模块。

5. 工业控制与通信设备:用于仪表、传感器电路或通信模块中,实现电压调节和信号保护。

1N5265BDO35采用DO-35封装,体积小,可靠性高,适合通孔安装,适用于空间有限且要求稳定性能的场合。其较高的齐纳电压(75V)使其在需要较高稳压值的低压系统中具有独特优势。

综上,1N5265BDO35适用于对电压稳定性与可靠性有一定要求的小功率电子系统,尤其适合需要75V稳压功能的工业、消费类及通信应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 62V 500MW DO35

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5265BDO35

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.5V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 47V

产品目录绘图

供应商器件封装

DO-35

其它名称

1N5265BDO35MSCT
1N5265BDO35MSCT-ND
1N5265BMSCT
1N5265BMSCT-ND
1N5265DO35MSCT
1N5265DO35MSCT-ND

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

62V

阻抗(最大值)(Zzt)

185 欧姆

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