【未分类_1N5530B (DO35)】封装/厂家_1N5530B (DO35)中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： 1N5530B (DO35)
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5530B (DO35)由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5530B (DO35)价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5530B (DO35)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载1N5530B (DO35)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5530B (DO35) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5530B (DO35) 是由 Microsemi Corporation 生产的一款齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的齐纳二极管广泛应用于电压调节、稳压电路、信号电平控制和过压保护等领域。以下是其主要应用场景：

 1. 电压稳压
   - 1N5530B 常用于简单的稳压电路中，为低功耗设备提供稳定的参考电压。例如，在电源电路中，齐纳二极管可以与电阻串联，将输入电压稳定在特定值，以确保后级电路正常工作。

 2. 过压保护
   - 在电子设备中，1N5530B 可用作过压保护元件。当输入电压超过设定的齐纳电压时，二极管会导通并将多余的电压泄放到地，从而保护敏感器件免受高电压损害。

 3. 信号电平控制
   - 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于限制信号的幅值。例如，在音频或通信电路中，1N5530B 可以用来防止信号幅度过大，避免失真或损坏后续电路。

 4. 参考电压源
   - 由于齐纳二极管能够在反向击穿区提供稳定的电压，1N5530B 可作为基准电压源使用。这种特性在模拟电路设计中非常有用，例如在比较器、振荡器等电路中提供稳定的参考电压。

 5. 浪涌抑制
   - 在电源输入端或感应负载（如继电器、电机）的开关过程中，可能会产生电压浪涌。1N5530B 可以快速响应并吸收这些浪涌能量，从而保护电路中的其他元件。

 6. 温度补偿电路
   - 在一些精密电路中，齐纳二极管的温度特性可能需要与其他元件配合进行补偿。1N5530B 的齐纳电压特性相对稳定，适合用于此类应用。

 特性总结：
   - 封装：DO-35 小型玻璃封装，适合紧凑型设计。
   - 齐纳电压：典型值约为 18V（具体值需参考数据手册）。
   - 功率耗散：适用于低功耗场景。
   - 工作温度范围：通常支持较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。

总之，1N5530B 是一款性能可靠的齐纳二极管，适用于各种需要电压稳定或保护的场合，尤其适合对成本和空间有严格要求的设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 10V 500MW DO-35
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/123956-lds-0037-1
产品图片
产品型号	1N5530B (DO35)
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.1V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	50nA @ 9.1V
供应商器件封装	DO-35
功率-最大值	500mW
包装	散装
安装类型	通孔
容差	±5%
封装/外壳	DO-204AH，DO-35，轴向
工作温度	-65°C ~ 175°C
标准包装	1
电压-齐纳（标称值）(Vz)	10V
阻抗（最大值）(Zzt)	60 欧姆