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BZV55-C75,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C75,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C75,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C75,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C75,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C75,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV55-C75,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单分类。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压: BZV55-C75,115 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用作电压稳压器,确保负载端的电压保持恒定,特别适用于低功率电路中的电压调节。 2. 过压保护: 该齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。例如,在信号传输线路中,它可以限制输入电压,防止超过设备的额定值。 3. 信号电平调整: 在模拟电路中,BZV55-C75,115 可用于将输入信号的电平调整到适合后续处理的范围。例如,在音频或传感器信号处理中,它可以用来设定基准电平。 4. 基准电压源: 齐纳二极管常被用作精密电路中的基准电压源。BZV55-C75,115 可以为运放、比较器或其他需要稳定电压的器件提供可靠的参考电压。 5. 电源监控电路: 在电池供电设备中,这款齐纳二极管可以用于监测电池电压,当电压低于或高于设定值时触发报警或保护机制。 6. ESD(静电放电)保护: 虽然齐纳二极管的主要功能不是专门用于 ESD 保护,但在某些情况下,它可以辅助吸收瞬态电压脉冲,从而保护下游电路。 特性总结: - 齐纳电压:7.5V(典型值) - 功率耗散:约 0.5W - 封装形式:通常为小型插件或表面贴装形式,便于集成到各种电路设计中。 BZV55-C75,115 的应用领域广泛,涵盖消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子等,尤其适合对成本和性能有平衡需求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 75V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C75,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV55-C75,115 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 52.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
| 其它名称 | 568-6269-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 封装/箱体 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 255 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 75V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 80.2 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 255 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV55-C75 T/R |
| 齐纳电压 | 74.5 V |