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  • 型号: VDZT2R11B
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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VDZT2R11B产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VDZT2R11B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VDZT2R11B价格参考¥0.58-¥1.12。ROHM SemiconductorVDZT2R11B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 11V 100mW ±2% 表面贴装 VMD2。您可以下载VDZT2R11B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VDZT2R11B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号 VDZT2R11B 是一款齐纳二极管(Zener Diode),属于单路齐纳二极管类别。该器件主要用于电压调节和电压参考应用。

 主要应用场景包括:

1. 电压基准源:  
   VDZT2R11B提供稳定的齐纳击穿电压,常用于模拟电路中作为高精度的电压参考源,确保电路中其他元件工作在稳定电压下。

2. 电源稳压电路:  
   在低功率电源电路中,该齐纳二极管可用于构建简单的稳压电路,保持输出电压稳定,适用于传感器供电、小信号处理电路等。

3. 过压保护:  
   可用于电路中的过压保护设计,当电压超过设定值时,齐纳二极管导通,将多余电压泄放,保护后级电路元件。

4. 信号调节与钳位电路:  
   在模拟信号处理中,用于限制信号幅度,防止输入信号超出允许范围,常见于运算放大器、ADC/DAC前端保护电路。

5. 便携设备与消费类电子产品:  
   因其封装小型化、功耗低,适用于智能手机、穿戴设备、家电控制模块等对空间和功耗有要求的场景。

该器件具备良好的温度稳定性和响应速度,适合在中低精度要求的工业控制、通信模块和嵌入式系统中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 11V 100MW VMD2

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

VDZT2R11B

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 8V

供应商器件封装

VMD2

其它名称

VDZT2R11B-ND
VDZT2R11BTR

功率-最大值

100mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±2%

封装/外壳

2-SMD,扁平引线

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

8,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

11V

阻抗(最大值)(Zzt)

30 欧姆

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