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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-B9V1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-B9V1,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-B9V1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52H-B9V1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-B9V1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZT52H-B9V1,115 是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中。以下是该型号齐纳二极管的主要应用场景: 1. 电压稳压 - 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。BZT52H-B9V1,115 的额定齐纳电压约为 9.1V,在电源电路中可以用于稳定输出电压,确保后续电路在特定电压范围内正常工作。 - 应用场景:直流电源稳压、低压差稳压器(LDO)辅助电路。 2. 过压保护 - 在电路中,齐纳二极管可以用来防止输入电压过高,从而保护敏感器件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将多余能量泄放到地。 - 应用场景:传感器接口保护、通信线路保护。 3. 信号电平调整 - 齐纳二极管可用于限制信号电压幅值,确保信号电平符合后级电路的要求。例如,在音频或射频电路中,它可以用来削波或钳位信号。 - 应用场景:信号调理电路、限幅器设计。 4. 参考电压源 - BZT52H-B9V1,115 可作为精密参考电压源,用于比较器、ADC/DAC 电路或其他需要稳定基准电压的应用。 - 应用场景:模拟电路中的基准电压生成、电压检测电路。 5. 浪涌抑制 - 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,齐纳二极管可以吸收短暂的高电压脉冲,保护电路免受雷击或开关噪声的影响。 - 应用场景:电源输入端保护、电机驱动电路保护。 6. 电池管理系统 - 在电池充电或放电过程中,齐纳二极管可以用来监控电池电压,确保其在安全范围内工作。 - 应用场景:锂电池保护电路、充电控制器。 总结 BZT52H-B9V1,115 适用于需要稳定电压、过压保护和信号处理的场合。其紧凑的设计和可靠的性能使其成为消费电子、工业控制、汽车电子等领域中的理想选择。具体应用时,需根据电路需求选择合适的功率和精度等级,并注意散热设计以确保长期稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 375MW SOD123F稳压二极管 9.28V 6uA 10Ohm |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-B9V1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-B9V1,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 934064793115 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 6 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 电压温度系数 | 7 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.28 V |