【未分类_PTZTE255.6B】封装/厂家_PTZTE255.6B中文资料_价格

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型号： PTZTE255.6B
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE255.6B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE255.6B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE255.6B封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PTZTE255.6B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE255.6B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PTZTE255.6B 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款单齐纳二极管，其主要应用场景包括：

1. 电压稳压：  
   PTZTE255.6B 的齐纳击穿电压为 5.6V，适用于低电压电路中的稳压功能。它可以在电源输出波动时保持负载端的电压稳定，广泛用于小型电子设备的供电模块。

2. 过压保护：  
   在电路中，该齐纳二极管可以用来防止输入电压过高对敏感元件造成损害。例如，在传感器接口或通信线路中，它可以限制瞬态高压，确保后续电路的安全。

3. 信号电平调整：  
   齐纳二极管可用于将信号电平钳位到特定范围，特别是在模拟电路中。PTZTE255.6B 可以将信号电压限制在 5.6V 以下，适用于音频处理、数据传输等场景。

4. 基准电压源：  
   利用其稳定的击穿电压特性，PTZTE255.6B 可作为简单电路中的基准电压源，为比较器、运算放大器等提供参考电压。

5. ESD 防护：  
   在易受静电放电（ESD）影响的电路中，该齐纳二极管可以用作初级防护措施，快速泄放瞬时高电压，保护核心器件。

6. 电源监控电路：  
   在需要监测电源电压的应用中，PTZTE255.6B 可配合其他元件（如三极管或 MOSFET）设计简单的电压检测电路，用于触发报警或关断功能。

总结来说，PTZTE255.6B 适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域的小型化、低成本电路设计中，尤其在需要精确电压控制和保护功能的场景下表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 5.9V 1W PMDS稳压二极管 5.6V 40MA
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE255.6B-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PTZTE255.6B
不同If时的电压-正向(Vf)	-
不同 Vr时的电流-反向漏电流	50µA @ 1.5V
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	PMDS
其它名称	PTZTE255.6BDKR
功率-最大值	1W
功率耗散	1 W
包装	Digi-Reel®
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±6%
封装	Reel
封装/外壳	DO-214AC，SMA
封装/箱体	SOD-106
工作温度	-
工厂包装数量	1500
最大反向漏泄电流	20 uA
最大工作温度	+ 150 C
最大齐纳阻抗	8 Ohms
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-齐纳（标称值）(Vz)	5.9V
电压容差	6 %
电压温度系数	1.4 mV/deg C
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	8 欧姆
齐纳电压	5.95 V