Datasheet下载- 型号： PTVS6V5S1UTR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS6V5S1UTR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS6V5S1UTR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS6V5S1UTR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS6V5S1UTR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS6V5S1UTR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS6V5S1UTR,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其它瞬态干扰的损害。 该器件的击穿电压约为6.5V，适用于低压电路的过压保护，典型应用场景包括： 1. 通信接口保护：用于保护USB、HDMI、RS-485等通信接口，防止因静电或瞬态电压导致的数据传输中断或芯片损坏。 2. 消费电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中，对敏感的IC和数据线路提供ESD保护。 3. 工业控制系统：在工业自动化设备中，用于保护PLC、传感器和通信模块免受恶劣工业环境中产生的电压浪涌影响。 4. 汽车电子系统：适用于车载电子模块，如车载娱乐系统、CAN总线接口等，提升系统在复杂电磁环境下的稳定性。 5. 便携设备电源管理：用于电池供电设备中的电源线路保护，防止充电或插拔过程中因瞬态电压造成损坏。 该器件采用小型SOT23封装，适合高密度PCB布局，响应速度快、钳位电压低，具有良好的保护性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 7.98V 400W |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS6V5S1UTR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS6V5S1UTR,115 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-10906-6 |
| 击穿电压 | 7.98 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 mm W x 3.7 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 185°C （TA） |
| 工作电压 | 6.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 7.22V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 11.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 35.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UTR |
| 钳位电压 | 11.2 V |
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