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  • 型号: PTVS43VS1UTR,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS43VS1UTR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS43VS1UTR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS43VS1UTR,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS43VS1UTR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS43VS1UTR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PTVS43VS1UTR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路的静电放电(ESD)防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为43V,峰值脉冲功率达600W(10/1000μs波形),具有低钳位电压、快速响应(<1ns)和高ESD耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4:±30kV接触放电)。

典型应用场景包括:  
- 汽车电子系统:如车载信息娱乐(IVI)、CAN/LIN总线接口、USB Type-C车充端口、摄像头模组供电线路等,满足AEC-Q101车规认证,可抵御负载突降、电源反接及开关噪声引起的浪涌;  
- 工业控制接口:保护PLC数字I/O、RS-485/RS-232通信端口免受雷击感应或电感负载关断产生的高压尖峰;  
- 消费类设备:如智能电视、机顶盒的HDMI、USB、电源输入端,防止插拔静电或电源波动损坏后级芯片(如SoC、LDO、MCU);  
- 便携式设备电源路径:在电池供电设备中,置于DC-DC转换器前端或充电管理IC输入侧,抑制输入端浪涌,提升系统可靠性。

该器件采用SOD123W小型表面贴装封装,节省PCB空间,适用于高密度布局,并具备无铅、符合RoHS要求。其稳定参数与宽工作温度范围(–65°C 至 +150°C)使其特别适合严苛环境下的稳健防护需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 43VWM 69.4VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 52.8V 400W

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS43VS1UTR,115-

数据手册

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产品型号

PTVS43VS1UTR,115

不同频率时的电容

-

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

*

其它名称

568-10886-6

击穿电压

52.8 V

功率-峰值脉冲

400W

包装

Digi-Reel®

单向通道

1

双向通道

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123W

封装/箱体

SOD-123W

尺寸

1.9 mm W x 3.7 mm L x 1.1 mm H

峰值脉冲功率耗散

400 W

工作温度

-55°C ~ 185°C (TA)

工作电压

43 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

极性

Unidirectional

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

47.8V

电压-反向关态(典型值)

43V

电压-箝位(最大值)@Ipp

69.4V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

5.8A

电源线路保护

无

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

PTVSxS1UTR

钳位电压

69.4 V

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