| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS43VS1UTR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS43VS1UTR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS43VS1UTR,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS43VS1UTR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS43VS1UTR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS43VS1UTR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路的静电放电(ESD)防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为43V,峰值脉冲功率达600W(10/1000μs波形),具有低钳位电压、快速响应(<1ns)和高ESD耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4:±30kV接触放电)。 典型应用场景包括: - 汽车电子系统:如车载信息娱乐(IVI)、CAN/LIN总线接口、USB Type-C车充端口、摄像头模组供电线路等,满足AEC-Q101车规认证,可抵御负载突降、电源反接及开关噪声引起的浪涌; - 工业控制接口:保护PLC数字I/O、RS-485/RS-232通信端口免受雷击感应或电感负载关断产生的高压尖峰; - 消费类设备:如智能电视、机顶盒的HDMI、USB、电源输入端,防止插拔静电或电源波动损坏后级芯片(如SoC、LDO、MCU); - 便携式设备电源路径:在电池供电设备中,置于DC-DC转换器前端或充电管理IC输入侧,抑制输入端浪涌,提升系统可靠性。 该器件采用SOD123W小型表面贴装封装,节省PCB空间,适用于高密度布局,并具备无铅、符合RoHS要求。其稳定参数与宽工作温度范围(–65°C 至 +150°C)使其特别适合严苛环境下的稳健防护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 43VWM 69.4VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 52.8V 400W |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS43VS1UTR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS43VS1UTR,115 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-10886-6 |
| 击穿电压 | 52.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 mm W x 3.7 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 185°C (TA) |
| 工作电压 | 43 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 47.8V |
| 电压-反向关态(典型值) | 43V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 69.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 5.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UTR |
| 钳位电压 | 69.4 V |