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- 型号： PSMN8R5-108ESQ127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-108ESQ127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-108ESQ127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-108ESQ127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN8R5-108ESQ127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R5-108ESQ127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN8R5-108ESQ127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅8.5 mΩ @ VGS=10 V，10.8 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID达100 A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 工业电源与DC-DC转换器：用于同步整流、BUCK/BOOST拓扑的主开关或续流管，提升效率与功率密度； - 电动工具与电池供电设备：支持12–24 V电池系统，适用于无刷电机驱动的H桥高边/低边开关，具备快速开关（ton/toff约10–20 ns）和强抗雪崩能力； - 服务器/通信电源：在48 V输入POL（负载点）转换器中作为高效功率开关，满足高可靠性与低损耗要求； - 汽车电子（符合AEC-Q101）：适用于车载辅助系统（如座椅调节、车窗升降、LED照明驱动等非安全关键12 V应用），具备宽温工作范围（–55°C 至 +175°C）和高EMI鲁棒性。 该器件集成优化的栅极电荷（Qg≈53 nC），便于驱动，且LFPAK封装提供低寄生电感与优异散热，适合紧凑型PCB布局。注意：不适用于ASIL-D级功能安全核心系统，但可满足严苛工业与车载二级应用需求。
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