Datasheet下载- 型号： PSMN8R0-40BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R0-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R0-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R0-40BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN8R0-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R0-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN8R0-40BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 8.0 mΩ @ VGS = 10 V，10.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID 额定值达 100 A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器主开关管，提升能效与功率密度； - 电机驱动系统：适用于无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动中的H桥或半桥功率级，支持快速开关与低损耗运行； - 负载开关与热插拔管理：凭借低RDS(on)和强抗雪崩能力，可用于主板/模块供电的智能负载开关、电源轨保护及热插拔电路； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动及调光控制中作为PWM开关元件，实现高效、低发热调光； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规版；若需车规应用，应选用NXP对应AEC-Q101认证型号如PSMN8R0-40YL），故典型用于车载充电器、ADAS供电模块等非安全关键场景。 该器件支持4.5 V逻辑电平驱动，兼容主流MCU/PWM控制器，配合LFPAK56封装优异的热性能与PCB散热设计，适用于空间受限且对效率、温升敏感的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 77A D2PAKMOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 77 A |
| Id-连续漏极电流 | 77 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R0-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN8R0-40BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 36 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 36 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4.8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1262pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9707-6 |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 36 V |
| 漏极连续电流 | 77 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 77A （Tmb） |
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