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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN7R8-120ESQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PSMN7R8-120ESQ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R8-120ESQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PSMN7R8-120ESQ价格参考以及NXP SemiconductorsPSMN7R8-120ESQ封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PSMN7R8-120ESQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PSMN7R8-120ESQ详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R8-120ESQ 是恩智浦（NXP）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅7.8 mΩ @ Vgs=10V，12 mΩ @ Vgs=4.5V）、高雪崩耐量及AEC-Q101汽车级认证。其主要应用场景包括： - 汽车电子：车载DC-DC转换器、LED前照灯/尾灯驱动、电动座椅/车窗控制模块、电池管理系统（BMS）中的充放电开关等，得益于其高温可靠性（Tj最高175℃）与抗瞬态能力。 - 工业电源：中功率开关电源（如通信设备AC/DC适配器、服务器POL模块）、电机驱动H桥的上/下管、固态继电器（SSR）及PLC输出级。 - 消费类设备：大电流USB PD快充协议芯片的同步整流开关、便携式设备（如电动工具、无人机）的电池保护电路与负载开关。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），简化了栅极驱动设计；低Qg和优异的SOA特性使其适用于高频硬开关应用（如100–500 kHz DC-DC拓扑）。需注意PCB布局时加强散热（推荐大面积铜箔+过孔散热），并配合TVS或RC缓冲电路抑制电压尖峰。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAKMOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R8-120ESQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R8-120ESQ |
| Pd-PowerDissipation | 349 W |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Qg-GateCharge | 167 nC |
| Qg-栅极电荷 | 167 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.72 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.72 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 55.3 ns |
| 下降时间 | 60.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9473pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 167nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.9 毫欧 @ 25A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | 568-10989-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 151.8 ns |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
| 配置 | Single |
