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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN5R8-30LL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R8-30LL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R8-30LL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R8-30LL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R8-30LL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R8-30LL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R8-30LL,115 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。其典型参数包括：VDS = 30 V、RDS(on) ≈ 5.8 mΩ（@ VGS = 10 V）、ID（连续）达40 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与快速开关特性。 主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的高/低侧开关，尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效POL（Point-of-Load）模块； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动，支持逻辑电平（4.5 V即可充分导通），可直接由MCU/驱动IC（如GPIO或DRV887x系列）控制； ✅ 负载开关与热插拔保护：凭借低RDS(on)和内置ESD保护，常用于板级电源域的智能上电管理、USB供电开关或FPGA/ASIC核心供电的动态使能控制； ✅ LED驱动与电池管理系统（BMS）：在多路LED恒流驱动中作PWM调光开关，或在30 V以下锂电组（如12 V/24 V系统）中用作充放电主控或均衡开关。 该器件强调高功率密度与可靠性，适用于空间受限且对效率、温升敏感的嵌入式与工业场景。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘并确保栅极驱动稳定性，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN5R8-30LL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1316pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5593-6 |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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