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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN5R0-100ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R0-100ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R0-100ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R0-100ES,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R0-100ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R0-100ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN5R0-100ES,127是一款高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低的导通电阻（RDS(on)典型值仅5.0 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ 4.5 V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器主开关管，支持高电流、低损耗运行； - 电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制、风扇驱动、LED驱动及板级电源管理模块中的热插拔/负载切换； - 电池管理系统（BMS）与电源路径管理：凭借低RDS(on)和强雪崩耐量，可用于便携式设备、电动工具及储能系统中的充放电保护与电源路由； - 汽车电子辅助应用：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级版本），适用于车载照明控制、车身控制模块（BCM）、雨刮/车窗驱动等12V/24V低压系统。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.1 V）便于与3.3V/5V MCU或驱动IC直接兼容，配合小尺寸LFPAK封装，兼顾散热性能与PCB空间利用率，特别适合对能效、可靠性和集成度要求较高的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R0-100ES,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R0-100ES,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6714 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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