Datasheet下载- 型号： PSMN3R8-30LL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R8-30LL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R8-30LL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R8-30LL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R8-30LL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R8-30LL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R8-30LL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 3.8 mΩ @ VGS = 10 V，4.8 mΩ @ 4.5 V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率 DC-DC 转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck/Boost 转换器，降低导通损耗，提升能效（尤其适用于 12 V/48 V 输入系统）； - 电机驱动与负载开关：适用于无刷直流（BLDC）电机控制、风扇驱动、LED 驱动及板级电源管理中的热插拔/电子保险丝功能，支持 30 V 耐压与高达 100 A 的脉冲电流； - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中的充放电主回路开关，凭借低 RDS(on) 和快速开关特性，减少发热并延长续航； - 电信与计算设备：如基站电源模块、GPU/CPU 供电 VRM（电压调节模块）、FPGA 供电等对功率密度和热性能要求严苛的场景。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容 3.3 V/5 V MCU），无需外部驱动器，简化设计；LFPAK 封装具备优异散热性与可靠性，适合紧凑型高功率应用。符合 AEC-Q101（部分批次）及工业级可靠性标准，亦可用于车载辅助系统（如 ADAS 电源管理）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R8-30LL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2085pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5592-6 |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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