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产品简介:
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PSMN3R5-30LL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 3.5 mΩ @ VGS = 10 V,4.7 mΩ @ 4.5 V)和优异的开关性能。其主要应用场景包括: - 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器,提升能效并降低温升; - 电机驱动与负载开关:适用于无刷直流(BLDC)电机控制、风扇驱动、LED驱动及板级电源管理中的高电流负载开关(如热插拔、电源排序); - 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动自行车等中低压(30 V额定)电池组的充放电保护与主回路开关; - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级),可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车灯调光等12 V系统中需高可靠性与低损耗的开关应用; - 固态继电器(SSR)与电子保险丝:凭借快速开关特性与低导通压降,替代机械继电器或实现精准过流保护。 其逻辑电平驱动能力(4.5 V即可充分导通)兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动,简化外围电路;LFPAK封装具备优异热性能与功率密度,适合紧凑型高功率设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN3R5-30LL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2061pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333(3.3x3.3) |
| 其它名称 | 568-5591-6 |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |