Datasheet下载- 型号： PSMN3R2-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R2-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R2-30YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R2-30YLC,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.2 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，降低导通损耗，提升系统能效。 - 电机驱动与负载开关：适用于无人机电调（ESC）、电动工具、风扇/泵类直流电机控制，支持大电流（ID=120A脉冲）、快速开关与热稳定性。 - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和强雪崩耐量，可用于电池保护电路中的主充放电路径开关或过流保护开关。 - LED照明驱动：在高功率LED恒流驱动或调光模块中作为高效PWM开关元件。 - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车载USB充电模块、车身控制单元（BCU）中的负载切换等非安全关键应用。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），兼容微控制器直接驱动；LFPAK56封装具备优异散热性与PCB空间利用率，适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 3.5mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R2-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R2-30YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 92 W |
| Pd-功率耗散 | 92 W |
| Qg-GateCharge | 29.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.53 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.53 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2081pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6733-1 |
| 功率-最大值 | 92W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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