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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN3R2-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R2-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R2-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R2-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R2-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R2-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R2-25YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高可靠性。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，显著降低导通损耗，提升系统能效。 - 电机驱动与电子负载控制：适用于无人机电调（ESC）、小型BLDC/PMSM电机驱动、电动工具及家电中的H桥/半桥功率级，支持高频PWM调制与大电流切换（ID连续达120A，脉冲达480A）。 - 热插拔与电源管理：凭借低Rds(on)和强雪崩耐受能力，适用于服务器主板、网络交换机的热插拔电路、ORing二极管替代方案及智能电源开关，实现软启动与过流保护。 - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电主回路开关或均衡电路，满足高电流、低功耗及高可靠性要求。 该器件工作结温范围宽（-55℃~175℃），符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于严苛工业环境。其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.1V）便于与MCU/FPGA直接接口，简化驱动设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 3.4 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R2-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R2-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1781pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6732-1 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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