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产品简介:
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PSMN2R2-40BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 2.2 mΩ @ Vgs = 10 V,4.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V)、高电流能力(ID = 120 A,脉冲可达 480 A)及优异的热性能。 其典型应用场景包括: ✅ 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL(负载点)模块,显著降低导通损耗; ✅ 电动工具与电池供电设备:支持40 V系统(如12–36 V锂电池组),适用于无刷电机驱动的H桥上下管或电池保护电路; ✅ 工业电源与开关电源(SMPS):用作次级侧同步整流开关或主功率开关,提升能效并满足Energy Star/80 PLUS要求; ✅ LED驱动与固态继电器(SSR):凭借快速开关特性(tr/tf 约10 ns)和低栅极电荷(Qg ≈ 60 nC),适合高频调光与固态开关应用; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(该型号为工业级,但同系列有车规版本),可用于车载充电模块、ADAS电源管理等非安全关键场景。 其逻辑电平驱动特性(Vgs(th) 1.0–2.1 V)支持直接由MCU/GPIO(3.3 V/5 V)驱动,简化外围电路设计,降低系统成本与PCB面积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R2-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R2-40BS,118 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8423pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9488-1 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Single |