Datasheet下载- 型号： PSMN2R0-60PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-60PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-60PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-60PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R0-60PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R0-60PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R0-60PS,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有极低的导通电阻（RDS(on) 典型值仅 2.0 mΩ @ VGS = 10 V，3.0 mΩ @ 4.5 V），耐压达 60 V，连续漏极电流高达 120 A（Tc = 25°C）。 该器件主要适用于高效率、大电流的中低压功率开关场景，典型应用包括： ✅ 电动工具与园林设备：作为电机驱动H桥中的高边/低边开关，支持高脉冲电流与快速开关，提升能效与响应速度； ✅ 服务器/通信电源：用于同步整流、DC-DC 转换器（如 POL 模块、VRM）及热插拔保护电路，降低导通损耗； ✅ 工业电机控制与PLC输出模块：驱动直流无刷电机（BLDC）或步进电机相绕组，配合栅极驱动IC实现高效PWM控制； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作电池充放电主回路的保护开关或均衡开关，低 RDS(on) 减少发热，提升系统可靠性； ✅ LED 驱动与照明电源：在高功率恒流驱动或调光控制中承担开关功能，支持高频工作（fSW 可达数百kHz）。 其逻辑电平兼容特性（4.5 V 即可充分导通）便于直接由 MCU 或 FPGA 驱动，简化外围电路设计；同时具备良好的雪崩耐量与抗短路能力，适用于严苛工业环境。需注意合理设计PCB散热（推荐大面积铜箔+散热片）以发挥其持续大电流性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-60PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R0-60PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 137 nC |
| Qg-栅极电荷 | 137 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9997pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 137nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6712 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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