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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN035-100LS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN035-100LS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN035-100LS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN035-100LS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN035-100LS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN035-100LS,115 是恩智浦(NXP)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装。其关键参数包括:VDS = 100 V、RDS(on) 典型值仅3.5 mΩ(VGS = 10 V)、ID(连续)达75 A(Tc = 25°C),具备低导通损耗与快速开关特性。 典型应用场景包括: ✅ 中高压DC-DC转换器(如通信电源、服务器POL模块),用于同步整流或主开关,提升效率; ✅ 电机驱动电路(如BLDC风扇控制、工业泵/阀驱动),支持100V母线电压及大电流换向; ✅ 电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关,利用其低RDS(on)减小压降与温升,适配锂电/铅酸电池组; ✅ LED驱动电源(尤其是高功率恒流驱动),作为PWM调光或输出级开关; ✅ 工业PLC数字输出模块,驱动继电器、电磁阀等感性负载,内置体二极管可配合续流设计。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 1–2.5 V),兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动,简化栅极驱动设计;LFPAK56封装热阻低(RthJC ≈ 0.9 K/W),利于紧凑布局与散热。广泛应用于通信设备、工业自动化、新能源及智能家电等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH QFN3333MOSFET N-CHAN 100V 27A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN035-100LS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN035-100LS,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333(3.3x3.3) |
| 其它名称 | 568-5585-6 |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN3333-8 |
| 工厂包装数量 | 1400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |
| 配置 | Single |