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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN016-100XS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN016-100XS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN016-100XS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN016-100XS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN016-100XS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN016-100XS,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装。其关键参数包括:VDS = 100 V、RDS(on) 典型值仅 16 mΩ(VGS = 10 V)、ID 连续电流达 60 A(Tc = 25°C),具备低导通损耗与良好热稳定性。 该器件主要应用于中高功率开关场景,典型用途包括: ✅ DC-DC 转换器(如服务器/通信电源中的同步整流与主开关管); ✅ 电机驱动电路(如工业泵、风扇、电动工具的 H 桥或半桥驱动); ✅ 电源管理模块(如电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关、负载开关); ✅ LED 驱动电源(大功率恒流驱动中的 PWM 开关元件); ✅ 逆变器与 UPS 系统(作为直流侧开关或辅助控制开关)。 其逻辑电平兼容特性(VGS(th) 低至 1–2.5 V,10 V 驱动下即可充分导通)便于与微控制器、DSP 或驱动 IC 直接接口,无需额外电平转换或高边驱动电路,简化设计并提升系统效率与可靠性。TO-220 封装支持良好散热,适用于需中等功率密度与成本效益兼顾的工业及消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220FMOSFET N-CH 100V 16 MOHMS STD LVL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 22.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN016-100XS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN016-100XS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 46.1 W |
| Pd-功率耗散 | 46.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2404pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 568-9500-5 |
| 功率-最大值 | 46.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32.1A (Tc) |
| 配置 | Single |