Datasheet下载- 型号： PSMN013-30LL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-30LL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-30LL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-30LL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN013-30LL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN013-30LL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN013-30LL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 13 mΩ @ Vgs = 10 V，18 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、30 V 耐压、连续漏极电流达 42 A（Tc = 25°C），并具备良好的热性能与雪崩耐量。 该器件主要面向中高功率、高效率、空间受限的直流开关应用，典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流 Buck 或 Boost 转换器，利用其低 Rds(on) 和快速开关特性提升能效； ✅ 电机驱动控制：用于小型无刷直流（BLDC）电机或步进电机的 H 桥下管/上管（配合逻辑电平驱动），尤其适用于电池供电的便携式工具、无人机电调模块； ✅ 负载开关与电源管理：在工业 PLC、智能电表、LED 驱动电源中作为高效电子保险丝或热插拔保护开关； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否为车规版；标准版 PSMN013-30LL,115 为工业级，但广泛用于非安全关键车载应用如车灯控制、座椅调节、风扇驱动等）。 其逻辑电平兼容性（Vgs(th) 低至 1.0–2.1 V）可直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3 V/5 V IO 驱动，简化外围电路；LFPAK 封装兼具小尺寸与优异散热能力，适合高密度 PCB 布局。不适用于高频射频或高压（>30 V）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN013-30LL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 768pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5307-1 |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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