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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMZB300XN,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB300XN,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZB300XN,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZB300XN,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMZB300XN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZB300XN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMZB300XN,315 是 Nexperia（安世半导体）出品的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SOT-23 小型表面贴装封装。其典型参数包括：VDS=30V、ID=4.2A（连续）、RDS(on)低至 38mΩ（VGS=4.5V），具备快速开关特性与低栅极电荷（Qg≈6.5nC），并支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至 0.7V，保证1.8V–2.5V微控制器可直接驱动）。 主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制、USB接口负载开关等，得益于其小尺寸、低功耗和逻辑兼容性； ✅ 电池供电系统保护电路：用于锂电池充放电路径控制、反向电流阻断及过流保护模块； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在小型升压/降压模块中提升效率（尤其适用于3.3V/5V输入系统）； ✅ 工业与IoT传感器节点：驱动继电器、小功率电磁阀、LED指示灯或信号切换，满足空间受限与低待机功耗需求； ✅ 电机驱动辅助开关：配合H桥主MOSFET，用于风扇、微型泵等小功率直流电机的启停与方向预控。 该器件不含卤素，符合RoHS与AEC-Q200（部分版本）可靠性标准，适合对尺寸、能效和成本敏感的消费类及轻工业应用。注意：实际使用中需合理设计PCB散热焊盘以保障持续电流能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V SGL 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMZB300XN,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 51pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.94nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 200mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10841-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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