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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ290UNYL由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ290UNYL价格参考。NXP SemiconductorsPMZ290UNYL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMZ290UNYL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMZ290UNYL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMZ290UNYL 是恩智浦(NXP)推出的 P 沟道增强型 MOSFET,采用小型无铅 SOT-883 封装(尺寸仅 1.0 × 0.6 × 0.5 mm),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 95 mΩ @ VGS = –4.5 V)、低栅极电荷(QG ≈ 0.9 nC)和高开关效率。其额定电压为 –20 V,连续漏极电流达 –780 mA(Tamb = 25°C),适合低压、小功率、空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括: ✅ 电池供电设备的电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,实现低功耗待机与快速启停; ✅ LED 驱动与背光控制:在小型显示屏或指示灯模块中,作为高效、低噪声的 PWM 调光开关; ✅ USB 接口/Type-C 端口保护:配合限流IC实现反向电流阻断与过压/静电防护; ✅ IoT 传感器节点的电源域隔离:在多传感器系统中独立关断非活跃模块(如温湿度传感器、加速度计),显著延长纽扣电池寿命; ✅ DC-DC 转换器次级同步整流(适用于超低功率 DC/DC,如 LDO 替代方案或微型 Buck 电路)。 其超小封装与低热阻特性,特别适配高密度 PCB 设计;符合 AEC-Q101(车规级可靠性标准),亦可用于车载信息娱乐系统中的辅助电源控制。注意:需确保栅极驱动电压满足 –2.5 V 至 –5.5 V 范围,并做好PCB散热设计(如敷铜焊盘)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | - |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMZ290UNYL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006(1.0x0.6) |
| 其它名称 | 568-10839-1 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |