图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMWD30UN,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMWD30UN,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMWD30UN,518价格参考。NXP SemiconductorsPMWD30UN,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMWD30UN,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMWD30UN,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMWD30UN,518 是恩智浦（NXP）出品的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列（采用SOT-666封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=4.5V）、小尺寸、高集成度和ESD保护等特点。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、摄像头模块供电切换、SIM卡/存储卡电源开关等，利用其双MOSFET结构实现紧凑高效的负载开关控制。 2. 电池供电系统保护与分配：在可穿戴设备或IoT终端中，用于电池后端的负载开关（Load Switch），实现上电时序控制、功耗隔离及反向电流阻断，延长续航并提升系统可靠性。 3. 逻辑电平接口转换与信号切换：适配3.3V/1.8V MCU GPIO直接驱动（无需外置电平转换器），常用于GPIO扩展、传感器使能控制（如温湿度传感器、加速度计的供电启停）等低功耗场景。 4. DC-DC转换器辅助电路：在小型同步Buck或LDO后级中，用作功率路径控制或冗余电源选择（OR-ing），支持快速开启/关断响应。 该器件不适用于高功率或高压场景（额定Vds=30V，Id=3.8A连续），但凭借小封装、低热阻与高可靠性，在空间受限、强调能效比的消费类及工业嵌入式应用中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMWD30UN,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1478pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2364-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PMWD30UN,518 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商