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产品简介:
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PMWD20XN,118 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平 MOSFET 阵列(采用 SOT-363 封装),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 20 mΩ @ Vgs=4.5V)、小尺寸、高集成度和逻辑兼容驱动(1.8V–5V)等特点。其典型应用场景包括: - 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光控制或传感器供电通断,利用其低静态电流与快速开关特性延长电池寿命。 - 接口电平转换与信号切换:在 I²C、SPI 或 GPIO 扩展电路中作为双向电平移位器或总线开关,支持不同电压域(如 1.8V/3.3V 系统间)间的信号隔离与驱动。 - 小型电机/执行器驱动:适用于微型直流电机、振动马达或电磁阀的低功率驱动(持续电流约 500mA/通道),常见于智能门锁、POS 终端、医疗笔式设备等。 - LED 驱动与背光控制:用于多路 LED 的独立调光或开关控制,尤其适合空间受限的消费类面板显示模块。 - 热插拔与电源排序电路:在多电源系统中实现受控上电时序或过流保护辅助开关。 该器件不适用于大功率开关或高频(>1MHz)PWM 应用,但凭借双通道集成、无外部驱动需求及 AEC-Q100 不认证(非车规)的特点,主要面向高可靠性、紧凑型消费电子与工业控制边缘节点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMWD20XN,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 4.2A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2362-6 |
| 功率-最大值 | 4.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.4A |