Datasheet下载- 型号： PMWD16UN,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMWD16UN,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMWD16UN,518价格参考。NXP SemiconductorsPMWD16UN,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMWD16UN,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMWD16UN,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMWD16UN,518 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 24 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷和快速开关特性。其主要应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光驱动及电池保护电路，双MOSFET结构支持独立控制多路负载。 - DC-DC 转换器与同步整流：适用于小型降压（Buck）转换器的同步整流侧，提升转换效率并减小发热。 - 接口电平转换与信号切换：配合逻辑门或微控制器（如 MCU、GPIO），实现 I²C/SPI 总线隔离、外设使能控制或热插拔保护。 - 电机/执行器驱动：用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）的 H 桥半桥驱动或方向控制模块，尤其适合空间受限的紧凑设计。 - LED 驱动与调光控制：支持 PWM 调光，驱动多路 LED 或 RGB 灯组，具备过流与热关断保护（依赖外部设计）。 该器件工作电压范围宽（1.8–20 V），支持逻辑电平直接驱动（Vgs(th) 低至 0.5 V），无需额外电平转换，显著简化电路设计。其小尺寸、高可靠性及符合 AEC-Q100（部分版本）标准的特点，也使其适用于工业控制与汽车电子辅助系统（如车灯控制、传感器模块）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMWD16UN,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1366pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2360-6 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.9A |
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