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- 型号： PMWD15UN,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMWD15UN,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMWD15UN,518价格参考。NXP SemiconductorsPMWD15UN,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMWD15UN,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMWD15UN,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMWD15UN,518 是 Nexperia（安世半导体）出品的双通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 24 mΩ @ Vgs=4.5V）、低阈值电压（Vgs(th) 0.5–1.1V）及高开关速度等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光/指示灯驱动，利用其低功耗与小尺寸优势实现高效多路控制； - 电池供电系统保护与切换：用于USB-C接口的VBUS路径开关、电池充放电路径管理（如主备电池切换）、反向电流阻断等； - 逻辑电平兼容接口电路：可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO驱动，适用于I²C/SPI外设供电使能、传感器模块电源门控等； - 小型电机或电磁阀驱动：驱动微型振动马达、继电器线圈或低功率电磁阀（需配合续流二极管）； - DC-DC转换器辅助开关：在同步降压/升压拓扑中用作次级侧同步整流开关（适用于中小电流、高效率要求场景）。 该器件集成双MOSFET结构，节省PCB面积并提升一致性，适用于空间受限、需多路独立控制且强调能效与可靠性的中低功率应用（连续漏极电流 ID=0.7A，峰值脉冲电流 1.4A）。不适用于大电流、高压或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMWD15UN,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18.5 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2359-6 |
| 功率-最大值 | 4.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.6A |
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