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- 型号： PMV185XN,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV185XN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV185XN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV185XN,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV185XN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV185XN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV185XN,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个），采用小型表面贴装 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.7 nC）和高开关效率等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗关断与快速响应； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升转换效率并减小发热； - LED 驱动控制：用于背光或指示灯的 PWM 调光开关，支持高频、低损耗通断； - USB 接口过压/反向电流保护：配合控制器实现 USB Type-C 或传统 USB 端口的电源路径管理； - 工业与物联网传感器节点：在低功耗 MCU 外设供电中用作受控电源开关，支持休眠唤醒时序控制。 该器件额定电压为 −20 V，连续漏极电流达 −3.5 A（Ta = 25°C），具备 ESD 保护（HBM ≥ 2 kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的低压（≤5 V）系统。不适用于高压、大功率或线性稳压等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SINGLE 30V TO-236AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMV185XN,215 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 76pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10831-1 |
| 功率-最大值 | 325mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
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