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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMT200EN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT200EN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT200EN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMT200EN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMT200EN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT200EN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMT200EN,135 是恩智浦（NXP）出品的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-23小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅0.18Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.7nC）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口过流保护，得益于其小尺寸、低功耗与逻辑电平兼容（可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO驱动）； 2. 电池供电系统：用于锂电池充放电路径控制、电池电量监测电路中的采样开关，或低功耗待机模式下的电源切断（如PMIC辅助开关）； 3. 工业与IoT传感器节点：在微功耗传感模块中驱动小型执行器（如蜂鸣器、微型继电器）、LED指示灯或信号电平切换，满足AEC-Q100可靠性要求（该器件通过车规级认证，亦适用于严苛环境）； 4. DC-DC转换器次级同步整流（限低压轻载场景）：虽非主功率器件，但在小型升压/降压模块中可作为辅助同步整流管，提升效率。 需注意：其连续漏极电流ID仅为0.5A（Ta=25℃），不适用于大电流或高功率场合；设计时应重视PCB散热及栅极驱动稳定性。综上，PMT200EN,135 定位于空间受限、强调能效与集成度的中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT200EN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 475pF @ 80V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-10826-1 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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