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  • 型号: PMST2222,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMST2222,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST2222,115价格参考。NXP SemiconductorsPMST2222,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMST2222,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMST2222,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMST2222,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,具有低功耗、高增益(hFE 典型值 300@10mA, 5V)、快速开关特性(tON/tOFF 约数十纳秒)及良好的热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 小信号放大:如便携式音频设备中的前置放大、传感器信号调理(温湿度、光敏等微弱信号放大);  
✅ 数字逻辑开关:在 MCU(如 ARM Cortex-M、PIC、ESP32)I/O 口驱动中,用作电平转换、LED 驱动、继电器/蜂鸣器控制等,支持最大 600mA 集电极电流(IC),满足多数低功率负载需求;  
✅ 电源管理辅助电路:如 LDO 使能控制、电池电压检测开关、充电状态指示电路;  
✅ 消费类与工业嵌入式系统:适用于智能穿戴、遥控器、IoT 节点、家电控制板等空间受限、需成本优化的场景。

该器件工作电压 VCEO=40V,具备内置基极-发射极电阻(部分版本可选,但 PMST2222,115 为标准无阻版本,需外接限流电阻),设计时需注意基极驱动匹配。凭借 NXP 的高可靠性认证(AEC-Q200 兼容,符合工业级温度范围 −65°C 至 +150°C),亦可用于车载信息娱乐系统的非安全相关外围电路。

综上,PMST2222,115 是一款高性价比、易于布局的通用开关/放大晶体管,广泛用于对体积、功耗和成本敏感的中低频(≤300MHz fT)电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 30V 600MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMST2222,115-

数据手册

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产品型号

PMST2222,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934035340115
PMST2222 T/R
PMST2222 T/R-ND

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

35 at 0.1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

35 at 0.1 mA at 10 V, 50 at 1 mA at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 50 at 150 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 10 V, 30 at 500 mA at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

PMST2222 T/R

频率-跃迁

250MHz

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