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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMPB12UN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB12UN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB12UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB12UN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB12UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB12UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB12UN,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用小型无铅 SOT-23（SC-59）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.6 nC）和 ±12 V 栅源电压范围，额定漏源电压 VDS = −20 V，连续漏极电流 ID = −2.6 A（Ta = 25°C）。 该器件主要面向空间受限、中低功率的便携式与嵌入式电子系统，典型应用场景包括： 1. 电源管理：作为负载开关（Load Switch），用于 USB 接口、电池供电设备（如蓝牙耳机、可穿戴设备）中的电源通断控制，实现低功耗待机与快速响应； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池应用中，配合保护 IC 实现过放电保护或充电路径切换； 3. LED 驱动与背光控制：用于中小电流 LED 的阴极侧调光或开关控制（如智能手表、家电面板指示灯）； 4. 逻辑电平转换与信号切换：在 1.8 V / 3.3 V 系统中实现反相开关功能（如 MCU GPIO 驱动低边开关）； 5. DC-DC 转换器辅助电路：如同步整流的辅助开关、LDO 使能控制等。 其小尺寸、低静态电流（IGSS < 100 nA）及符合 AEC-Q101（部分批次）的可靠性，也适用于汽车电子中的非安全关键模块（如车身控制、传感器接口）。不适用于高功率开关或高频硬开关主拓扑。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 11.3A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB12UN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 886pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 7.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10451-2 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.9A （Ta） |
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