ICGOO在线商城 > PMN42XPE,115
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PMN42XPE,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN42XPE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMN42XPE,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMN42XPE,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMN42XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有PMN42XPE,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMN42XPE,115是一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET(采用SOT-457封装,即6引脚小尺寸DFN),主要面向空间受限、中低功率的便携式与嵌入式应用。其典型应用场景包括: • 电源管理:作为负载开关(Load Switch)用于USB端口、电池供电设备的电源通断控制,支持低导通电阻(Rds(on)典型值仅42mΩ @ Vgs = –4.5V),可减少压降与发热; • 电池保护电路:在单节锂电(如3.0–5.5V系统)中用作反向电流阻断或充放电路径控制; • 电机驱动:适用于小型直流有刷电机(如微型风扇、振动马达)的H桥高边或低边开关,尤其适合占空比不高、电流≤2A的场景; • 接口与信号切换:在I²C、GPIO等数字接口中实现电平转换、信号隔离或上拉/下拉控制; • 消费电子与IoT设备:广泛用于TWS耳机、智能手表、无线传感器节点等对尺寸、功耗和成本敏感的终端产品。 该器件具备100%通过AEC-Q101可靠性认证(车规级标准),亦可用于工业及汽车电子辅助系统(如车身控制模块中的LED驱动、继电器替代)。其逻辑电平兼容性(Vgs(th)低至–0.5V至–1.2V)便于直接由MCU GPIO驱动,无需额外电平转换电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOPMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN42XPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN42XPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 8330 mW |
| Pd-功率耗散 | 8.33 W |
| Qg-GateCharge | 11.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1410pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10802-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |