Datasheet下载- 型号： BZX84C5V6ET3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C5V6ET3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C5V6ET3G价格参考。ON SemiconductorBZX84C5V6ET3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C5V6ET3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C5V6ET3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C5V6ET3G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装齐纳二极管，标称齐纳电压为5.6V，功率为250mW。该器件属于BZX84系列，采用SOD-123封装，具有体积小、响应快、稳定性高等特点，广泛应用于各类电子电路中。 主要应用场景包括： 1. 电压基准：在低功耗模拟电路或ADC/DAC参考电路中提供稳定的5.6V基准电压，适用于传感器信号调理、电源监控等场合。 2. 过压保护：作为箝位二极管，用于保护敏感的半导体器件（如IC、晶体管）免受静电放电（ESD）或瞬态电压冲击，常见于接口电路（如USB、GPIO）中。 3. 电源稳压：在低压直流电源系统中实现简单稳压功能，适用于对成本和空间敏感的消费类电子产品。 4. 电平转换与信号整形：在数字逻辑电路中用于电平箝位，防止信号超过安全范围，提升系统可靠性。 由于其绿色环保设计（符合RoHS标准）和无卤素特性，BZX84C5V6ET3G也适用于工业控制、汽车电子、便携式设备及通信模块等对环保和可靠性要求较高的领域。其SOD-123封装便于自动化贴片生产，适合高密度PCB布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3稳压二极管 ZEN REG .225W 5.6V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C5V6ET3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C5V6ET3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±7% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 7 % |
| 电压温度系数 | 0.25 mV/K |
| 系列 | BZX84C5V6E |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.6 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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