Datasheet下载- 型号： PMN35EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN35EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN35EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMN35EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN35EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN35EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN35EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（逻辑电平），采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.7 nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 - LED 驱动与背光控制：作为高边开关驱动小功率 LED 或 LCD 背光，在空间受限设计中提供高效、紧凑的电流路径控制。 - DC-DC 转换器辅助电路：在同步降压转换器中用作自举电路开关或辅助侧开关；或在反相/升降压拓扑中承担低压侧开关功能（需配合驱动设计）。 - 接口电平转换与信号切换：在 I²C、GPIO 等数字接口中实现电压域隔离或上拉/下拉控制（如 USB 设备检测、热插拔管理）。 - 电机/蜂鸣器等小型负载驱动：适用于微功率有刷直流电机、振动马达或压电蜂鸣器的启停控制，兼顾效率与封装尺寸优势。 该器件额定电压为 –30 V，连续漏极电流达 –3.8 A（TA = 25°C），支持逻辑电平驱动（–1.8 V 至 –4.5 V 即可充分导通），无需额外电平转换，简化了低电压系统（如 3.3 V 或 2.5 V MCU）的设计。其无铅、符合 RoHS 的 SOT-23 封装特别适合高密度 PCB 布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN35EN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 334pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 5.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934065376115 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
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