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- 型号： PMN25EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMN25EN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN25EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMN25EN,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMN25EN,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMN25EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMN25EN,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN25EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 25 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为 20 V，连续漏极电流达 3.8 A（Tamb=25°C），适合低压、中电流、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED 背光驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流——在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ 电机驱动与继电器驱动——用于小型直流有刷电机（如微型风扇、摄像头云台）或固态继电器的栅极驱动开关； ✅ USB 接口过流/热插拔保护——配合限流IC实现紧凑型端口保护方案； ✅ 工业与IoT传感器节点——在低功耗微控制器（如ARM Cortex-M系列）GPIO 直接驱动下，控制外围执行器或信号通断。 其逻辑电平兼容性（VGS(th) 低至 0.6–1.2 V）支持 1.8 V / 3.3 V MCU 直接驱动，无需额外电平转换，显著简化电路设计并节省PCB空间。SOT-23 封装便于自动化贴片，适用于对尺寸和成本敏感的消费类及嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6TSOPMOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN25EN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN25EN,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 540 mW |
| Pd-功率耗散 | 540 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 492pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 6.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10416-1 |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
