图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN15UN115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN15UN115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN15UN115价格参考。NXP SemiconductorsPMN15UN115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN15UN115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN15UN115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN15UN115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个器件），采用小型无铅 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 115 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.1 nC）及快速开关特性。其额定电压为 –20 V，连续漏极电流为 –1.5 A（TA = 25°C），适用于低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关：在电池供电设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作电源路径管理，实现低功耗待机与快速启停； ✅ 反向电流保护：在 USB Type-C 或 PMIC 输出端防止电池反灌，利用其体二极管方向与低 RDS(on) 实现高效防倒灌； ✅ DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管（尤其在轻载/高效率要求场景）； ✅ LED 驱动与逻辑电平转换：驱动小电流 LED 或接口信号电平翻转（如 3.3 V 控制 5 V 域），兼容常见 MCU GPIO 输出。 该器件强调高能效、小尺寸与高可靠性，不适用于大电流或高压（>20 V）场景，也不推荐用于线性区长时间工作（如恒流源）。设计时需注意 PCB 散热及栅极驱动稳定性（建议加 RC 缓冲抑制振铃）。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PMN15UN115 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商