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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG6010EP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG6010EP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG6010EP,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 60V 1A CFP5。您可以下载PMEG6010EP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG6010EP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG6010EP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能肖特基势垒整流二极管,采用SOD-123F小型表面贴装封装。其主要特点包括:60V反向重复峰值电压(VRRM)、1A平均整流电流(IF(AV))、超低正向压降(典型值仅0.39V @ 1A,25°C),以及快速开关特性(反向恢复时间trr < 5ns)和优异的热性能。 该器件广泛应用于对效率、空间与可靠性要求严苛的低压直流电源场景,典型应用包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表等内部LDO前级或USB接口(5V/3.3V系统)的防反接与高效整流; ✅ DC-DC转换器输出整流:在同步整流受限或需简化设计的Buck、Boost拓扑中,作为续流二极管,显著降低导通损耗,提升转换效率; ✅ 电池供电系统保护:用于单节锂电(3.0–4.2V)或3.3V系统中的反向电流阻断,防止电池在待机或故障时被反向放电; ✅ LED驱动与传感器模块供电:在低功耗IoT节点中提供紧凑、低发热的整流/隔离方案。 凭借其小尺寸、低VF和高可靠性(AEC-Q200兼容,支持工业级温度范围−65°C至+150°C),PMEG6010EP,115 特别适合高密度PCB布局及电池续航敏感型应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD128肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT 60V 10A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG6010EP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG6010EP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 120pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 60µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-7411-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 60 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 530 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 12°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |