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  • 型号: PMEG3020BER,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG3020BER,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG3020BER,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG3020BER,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMEG3020BER,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG3020BER,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMEG3020BER,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款肖特基二极管(Schottky Diode),属于二极管 - 整流器 - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 直流-直流转换器:PMEG3020BER,115 可用于开关电源中的同步整流电路或续流路径,提供高效的电压转换。
   - 电压调节模块 (VRM):在计算机、服务器和其他电子设备中,该二极管可用于 VRM 系统以实现稳定的电压输出。

 2. 电池充电与保护
   - 反向电流保护:在便携式设备的电池充电电路中,防止电池电流倒流到充电器或其他电路组件。
   - 快速充电支持:由于其低正向压降特性,可以减少功率损耗,适合快速充电应用。

 3. 汽车电子
   - 车载电子系统:如汽车音响、导航系统和 LED 照明等,该二极管可作为高效整流器使用。
   - 发电机整流:在汽车发电机中,用于将交流电转换为直流电,为电池充电。

 4. 通信设备
   - 信号隔离:在通信电路中,用于隔离不同电位的信号路径,确保系统的稳定运行。
   - 数据传输保护:在高速数据接口中,防止静电放电(ESD)和过压对敏感元件的损害。

 5. 消费类电子产品
   - USB 接口保护:在 USB 充电和数据传输中,防止电流回流并保护下游电路。
   - LED 驱动电路:用于驱动高亮度 LED 的电路中,提供高效的电流控制和保护功能。

 6. 工业自动化
   - 电机驱动:在小型电机驱动电路中,用作续流二极管以保护开关器件。
   - 感应负载保护:在继电器或电磁阀电路中,防止感性负载产生的反向电动势损坏其他元件。

 特性优势
- 低正向压降:减少功耗和发热,提高系统效率。
- 高浪涌能力:能够承受瞬时大电流冲击,增强可靠性。
- 快速恢复时间:适用于高频开关电路,减少开关损耗。

总之,PMEG3020BER,115 凭借其高效、可靠和耐用的性能,广泛应用于各种需要高效整流和保护的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123W肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE G4005CT/SOT2

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG3020BER,115-

数据手册

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产品型号

PMEG3020BER,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

520mV @ 2A

不同 Vr、F时的电容

170pF @ 1V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50µA @ 30V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Rectifiers

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SOD123W

其它名称

568-6515-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123W

封装/箱体

SOD-123

峰值反向电压

30 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大功率耗散

570 mW

最大反向漏泄电流

50 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

50 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

460 mV

正向连续电流

2 A

热阻

18°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

2A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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