Datasheet下载- 型号： PMEG3010BEV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG3010BEV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG3010BEV,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG3010BEV,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMEG3010BEV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG3010BEV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG3010BEV,115 是 NXP USA Inc. 推出的肖特基势垒整流二极管（单管），采用超小型无引线DFN1006-2（SOD-123W）封装，具有低正向压降（典型值仅0.39 V @ 1 A）、高效率、快速开关（反向恢复时间可忽略）及优异的热性能。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表等，用于USB接口或电池充电路径中的反向电流阻断（Reverse Battery Protection）与同步整流辅助； 2. 低压直流-直流转换器输出整流：适用于3.3 V/5 V供电的DC-DC模块（如Buck转换器次级侧），提升转换效率并减少发热； 3. 负载开关与电源轨隔离：在多电源系统中实现电源域间隔离（如主备电源切换、LDO输入保护），防止倒灌电流； 4. LED驱动与传感器供电电路：因低VF和小尺寸，适用于空间受限、强调能效的IoT终端节点； 5. 汽车电子辅助应用：符合AEC-Q101可靠性标准（该型号为车规级版本），可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的低压整流与电源保护。 其1006封装（1.0 mm × 0.6 mm）和0.35 mm超薄高度，特别适合高密度PCB布局；额定参数为30 V反向电压、1 A平均整流电流，兼顾安全性与紧凑性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG3010BEV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG3010BEV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 560mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 70pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7398-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.56 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 80°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG3010BEV T/R |
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